IXBT42N170A

IXBT42N170A

1 747.22 грн.

10 или более 1 727.20 грн.
100 или более 1 674.33 грн.
1000 или более 1 586.20 грн.
Производитель: Ixys
Код товара: IXBT42N170A
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 357 Вт
Ток
Ток 21 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 42 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet