IXBT42N170A

IXBT42N170A

1747.22 грн.

10 або більше: 1727.20 грн.
100 або більше: 1674.33 грн.
1000 або більше: 1586.20 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXBT42N170A
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 357 Вт
Струм
Струм 21 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 6 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 42 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet