SQ1922AEEH-T1_GE3

SQ1922AEEH-T1_GE3

25.17 грн.

10 або більше: 24.67 грн.
100 або більше: 23.91 грн.
1000 або більше: 22.65 грн.
Виробник: Vishay Semiconductor
Модель: SQ1922AEEH-T1_GE3
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
MOSFET DIS.850mA 20V N-CH SC-70-6 SMT
Корпус
Корпус SOT-363
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 850 мА
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація подвійний
Опір відкр. каналу 210 мОм
Потужність 1.5 Вт
Структура N-канал
Технологія TRENCH FET
Напруга 20 В
datasheet