SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

33.86 грн.

10 или более 21.30 грн.
100 или более 20.65 грн.
1000 или более 19.56 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Код товара: SIS412DN-T1-GE3
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.12A 30V N CHANNEL PPAK 1212-8 SMT
Корпус
Корпус PowerPAK-1212-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 12 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 15 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 15.6 Вт
Сопротивление откр. канала 20 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 30 В
datasheet