SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

58.22 грн.

10 или более 40.61 грн.
100 или более 39.37 грн.
1000 или более 37.30 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Код товара: SIR426DP-T1-GE3
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.30A 40V N-CH PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 30 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 23 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 41.7 Вт
Сопротивление откр. канала 8.5 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 40 В
datasheet