SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

39.34 грн.

10 или более 35.28 грн.
100 или более 34.20 грн.
1000 или более 32.39 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Код товара: SIR410DP-T1-GE3
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.35A 20V PPAK SO-8 SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 35 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 30 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 36 Вт
Сопротивление откр. канала 4 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 20 В
datasheet