SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

52.86 грн.

10 или более 62.82 грн.
100 или более 60.89 грн.
1000 или более 57.69 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Код товара: SIA456DJ-T1-GE3
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.2.6A 200V N-CH PPAK SC70-6L TRENCHFET
Корпус
Корпус PowerPAK SC70-6L
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 2.6 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 40 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 19 Вт
Сопротивление откр. канала 1.08 Ом
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 200 В
datasheet