SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

194.88 грн.

10 или более 190.98 грн.
100 или более 185.13 грн.
1000 или более 175.39 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Код товара: SI7846DP-T1-GE3
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.4A 150V N-CH PPAKSO8 TRENCHFET SMT
Корпус
Корпус PPAKSOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 4 А
Упаковка
Упаковка 3000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 40 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.9 Вт
Сопротивление откр. канала 41 мОм
Структура N-канал
Технология TRENCH FET
Напряжение 150 В
datasheet