SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

89.83 грн.

10 или более 88.03 грн.
100 или более 85.34 грн.
1000 или более 80.84 грн.
Производитель: Vishay Semiconductor
Код товара: SI4816BDY-T1-GE3
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.8.2A 30V 2N-CH 8-SOIC
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 5.8/8.2 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 20/25 нс
Конфигурация двойной
Мощность 1/1.25 Вт
Сопротивление откр. канала 15.5/9.3 мОм
Структура N-канал
Технология LITTLE FOOT
Напряжение 30 В
datasheet