MKI100-12F8

MKI100-12F8

14307.85 грн.

10 или более 14144.04 грн.
100 или более 13711.06 грн.
1000 или более 12989.42 грн.
Производитель: Ixys
Код товара: MKI100-12F8
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT MOD.DIODE FOUR 85A 1200V H BRIDGE E3-PACK CHA
Корпус
Корпус E3-PACK
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -40°C ~ +125°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 640 Вт
Ток
Ток 85 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 5 шт. (коробка)
Основные
Количество ключей 4
Напряжение насыщения (К-Э) 3.3 В
Структура С диодом
Технология H BRIDGE
Ток (макс.) 125 А (25°C)
Напряжение 1200 В
datasheet