IXXH80N65B4D1

IXXH80N65B4D1

696.70 грн.

10 или более 688.73 грн.
100 или более 667.65 грн.
1000 или более 632.51 грн.
Производитель: Ixys
Код товара: IXXH80N65B4D1
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V XPT TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 625 Вт
Ток
Ток 80 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.1 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 180 А (25°C)
Напряжение 650 В
datasheet