IXGT30N120B3D1

IXGT30N120B3D1

566.37 грн.

10 или более 560.41 грн.
100 или более 543.26 грн.
1000 или более 514.67 грн.
Производитель: Ixys
Код товара: IXGT30N120B3D1
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 1200V GENX3 TO268(D3PAK)
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 300 Вт
Ток
Ток 30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.5 В
Структура С диодом
Технология GENX3
Ток (макс.) N/ А (25°C)
Напряжение 1200 В
datasheet