IXFT20N100P

IXFT20N100P

873.92 грн.

10 или более 863.60 грн.
100 или более 837.16 грн.
1000 или более 793.10 грн.
Производитель: Ixys
Код товара: IXFT20N100P
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.20A 1000V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET SM
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 20 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 660 Вт
Сопротивление откр. канала 470 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1000 В
datasheet