IXFT12N100F

IXFT12N100F

379.96 грн.

10 или более 372.36 грн.
100 или более 360.96 грн.
1000 или более 341.96 грн.
Производитель: Ixys
Код товара: IXFT12N100F
Наличие: Нет предложений

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.12A 1000V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 12 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 250 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 300 Вт
Сопротивление откр. канала 1.05 Ом
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1000 В
datasheet