MWI80-12T6K

MWI80-12T6K

6710.57 грн.

10 або більше: 6634.25 грн.
100 або більше: 6431.16 грн.
1000 або більше: 6092.68 грн.
Виробник: Ixys
Модель: MWI80-12T6K
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT MOD.DIODE SIX 56A 1200V SOA E1-PACK CHASSIS
Корпус
Корпус E1-PACK
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +125°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 270 Вт
Струм
Струм 56 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт. (коробка)
Основні
Кількість ключів 6
Напруга насичення (К-Е) 2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 80 А (25°C)
Технологія SOA CAPABILITY
Напруга 1200 В
datasheet