MIEB101H1200EH

MIEB101H1200EH

10 762.25 грн.

10 або більше: 10 639.51 грн.
100 або більше: 10 313.81 грн.
1000 або більше: 9 770.98 грн.
Виробник: Ixys
Модель: MIEB101H1200EH
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT MOD.DIODE SIX 128A 1200V H BRIDGE E3PACK
Корпус
Корпус E3-PACK
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +125°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 630 Вт
Струм
Струм 128 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 5 шт.
Основні
Кількість ключів 6
Напруга насичення (К-Е) 1.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 183 А (25°C)
Технологія H BRIDGE
Напруга 1200 В
datasheet