MG12100S-BN2MM

MG12100S-BN2MM

6 115.58 грн.

10 або більше: 6 045.79 грн.
100 або більше: 5 860.71 грн.
1000 або більше: 5 552.25 грн.
Виробник: Ixys
Модель: MG12100S-BN2MM
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 1200V S3 CHASSIS
Корпус
Корпус S3 CASE
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +125°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 450 Вт
Струм
Струм 100 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 100 шт. (коробка)
Основні
Кількість ключів 2
Напруга насичення (К-Е) 1.7 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 140 А (25°C)
Технологія POWER MODULE
Напруга 1200 В
datasheet