IXYB82N120C3H1

IXYB82N120C3H1

1 950.02 грн.

10 або більше: 1 927.73 грн.
100 або більше: 1 868.72 грн.
1000 або більше: 1 770.36 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXYB82N120C3H1
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SINGLE 82A 1200V XPT PLUS264
Корпус
Корпус PLUS264
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 1040 Вт
Струм
Струм 82 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 164 А (25°C)
Технологія XPT
Напруга 1200 В
datasheet