IXXH60N65B4H1

IXXH60N65B4H1

772.82 грн.

10 або більше: 757.37 грн.
100 або більше: 734.18 грн.
1000 або більше: 695.54 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXXH60N65B4H1
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SINGLE 60A 650V XPT TO247-3
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +175°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 455 Вт
Струм
Струм 60 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 116 А (25°C)
Технологія XPT
Напруга 650 В
datasheet