IXGT16N170AH1

IXGT16N170AH1

1 468.91 грн.

10 або більше: 1 452.06 грн.
100 або більше: 1 407.61 грн.
1000 або більше: 1 333.53 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXGT16N170AH1
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SINGLE 11A 1700V H.VOLTAGE TO268(D3
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 190 Вт
Струм
Струм 11 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 5 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 16 А (25°C)
Технологія HIGH VOLTAGE
Напруга 1700 В
datasheet