IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1

1 342.24 грн.

10 або більше: 1 326.73 грн.
100 або більше: 1 286.12 грн.
1000 або більше: 1 218.43 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXGR55N120A3H1
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
Корпус
Корпус ISOPLUS247
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 200 Вт
Струм
Струм 30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.35 В
Структура З діодом SiC
Струм (макс.) 70 А (25°C)
Технологія GENX3
Напруга 1200 В
datasheet