IXGN82N120B3H1

IXGN82N120B3H1

2 917.32 грн.

10 або більше: 2 858.97 грн.
100 або більше: 2 771.45 грн.
1000 або більше: 2 625.59 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXGN82N120B3H1
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT MOD.DIODE SINGLE 64A 1200V GENX3 SOT227B
Корпус
Корпус SOT227B
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 595 Вт
Струм
Струм 64 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 145 А (25°C)
Технологія GENX3
Напруга 1200 В
datasheet