IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

1 367.21 грн.

10 або більше: 1 351.80 грн.
100 або більше: 1 310.42 грн.
1000 або більше: 1 241.45 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXFT18N100Q3
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
MOSFET DIS.18A 1000V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET SM
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 18 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 660 мОм
Потужність 830 Вт
Структура N-канал
Технологія HIPERFET
Час відновлення 300 нс
Напруга 1000 В
datasheet