IXBT42N170-TRL

IXBT42N170-TRL

1439.34 грн.

10 або більше: 1410.55 грн.
100 або більше: 1367.37 грн.
1000 або більше: 1295.41 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXBT42N170-TRL
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 360 Вт
Струм
Струм 42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 400 шт. (стрічка на котушці)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 80 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet