IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV

1848.92 грн.

10 або більше: 1827.46 грн.
100 або більше: 1771.52 грн.
1000 або більше: 1678.28 грн.
Виробник: Ixys
Модель: IXBA16N170AHV
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263(D2P
Корпус
Корпус TO263 (D2PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 150 Вт
Струм
Струм 10 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 6 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 16 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet