FDB0165N807L

FDB0165N807L

156.40 грн.

10 або більше: 153.27 грн.
100 або більше: 148.58 грн.
1000 або більше: 140.75 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Модель: FDB0165N807L
Наявність: Немає пропозицій

Доступні варіанти

В закладки порівняння
MOSFET DIS.310A 80V N-CH TO263
Корпус
Корпус TO-263-7 (D2PAK-7)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 310 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 1.6 мОм
Потужність 3.8 Вт
Структура N-канал
Технологія POWER TRENCH
Час відновлення 85 нс
Напруга 80 В
datasheet